Presentation Information
[P38]Influence of light illumination on dislocation behavior of gallium nitride and gallium phosphide single crystals
*Ryosuke Kinoshita1, Yan Li2, Hiroto Oguri1, Eita Tochigi3, Atsutomo Nakamura2 (1. Osaka Univ., 2. Osaka Univ., 3. UTokyo)
Keywords:
ナノインデンテーション,化合物半導体,転位,光,TEM
光インデンテーション法を用いて,GaN,GaP単結晶の転位挙動に及ぼす光環境効果を評価した.外部光環境は転位の生成にはほとんど影響を与えないが,運動には大きく影響を及ぼすことが確認された.
