[G] Electronic Materials/Terahertz Light

2:25 PM - 2:40 PM JST(5:25 AM - 5:40 AM UTC)

[245] Development of valence-change-type material for non-volatile memory application

*Shogo HATAYAMA¹, Shunsuke Mori², Yuta Saito^1,2, Paul Fons³, Yi Shuang², Yuji Sutou² (1. AIST, 2. Tohoku Univ., 3. Keio Univ.)

Keywords:

不揮発性メモリ,価数変化,ランタノイドテルライド

本研究では、構造変態を伴わずに原子価数変化のみで抵抗変化を示すSmTe薄膜の基礎物性と不揮発性メモリとしての応用可能性について発表を行う。