[G] 電子材料・テラヘルツ光

14:25 〜 14:40

[245] 価数変化型不揮発性メモリ材料の創製

*畑山 祥吾¹、森 竣祐²、齊藤 雄太^1,2、フォンス ポール³、双 逸²、須藤 祐司² (1. 産総研、2. 東北大工、3. 慶應大)

キーワード：

不揮発性メモリ、価数変化、ランタノイドテルライド

本研究では、構造変態を伴わずに原子価数変化のみで抵抗変化を示すSmTe薄膜の基礎物性と不揮発性メモリとしての応用可能性について発表を行う。