[P] P100~P104

4:00 PM - 5:30 PM JST(7:00 AM - 8:30 AM UTC)

[P102] Crystallization and electrical properties of Ge thin films with AuSb and Au by annealing

*yang chunxiang¹, kyuno kentaro^1,2 (1. Shibaura Institute of Technology, 2. SIT International Research Center for Green Electrouies)

Keywords:

p型半導体特性,昇温時間,AuSb,半導体薄膜,結晶化

AuSbを触媒としてGe薄膜の結晶化を試みた、3nmのAuSb膜厚,190℃の低温でGe薄膜の結晶化に成功した。