[P102]Crystallization and electrical properties of Ge thin films with AuSb and Au by annealing
*yang chunxiang1, kyuno kentaro1,2(1. Shibaura Institute of Technology, 2. SIT International Research Center for Green Electrouies)
AuSbを触媒としてGe薄膜の結晶化を試みた、3nmのAuSb膜厚,190℃の低温でGe薄膜の結晶化に成功した。
