公益社団法人日本金属学会

日本金属学会2024年春期(第174回)講演大会

2024年3月12日〜3月19日東京理科大学葛飾キャンパス

公益社団法人日本金属学会

日本金属学会2024年春期(第174回)講演大会

2024年3月12日〜3月19日東京理科大学葛飾キャンパス

[P102]AuSb，Au触媒を用いたアニールによるGe薄膜の結晶化及びその電気特性

*楊淳祥¹、弓野健太郎^1,2(1. 芝浦工業大学、2. 芝浦工業大学グリーンエレクトロ二クス国際研究センター)

キーワード：

p型半導体特性、昇温時間、AuSb、半導体薄膜、結晶化

AuSbを触媒としてGe薄膜の結晶化を試みた、3nmのAuSb膜厚,190℃の低温でGe薄膜の結晶化に成功した。