[P] P138~P148

4:00 PM - 5:30 PM JST(7:00 AM - 8:30 AM UTC)

[P147] Fabrication of SiC liner crucible for solution growth of high quality SiC

*Sora Ashimoto¹, Sakiko Kawanishi¹, Masakatsu Hasegawa¹, Takeshi Mitani², Didier Chaussende³, Takeshi Yoshikawa⁴, Yoshiaki Kashiwaya¹ (1. Kyoto Univ., 2. AIST, 3. CNRS-SIMaP, 4. Osaka Univ.)

Keywords:

SiC,溶液成長法,SiCライナー,熱流体計算

本研究では安定的なSiC溶液成長法の実現に向けて、SiCライナーの作製を行った。またSiCライナーを用いた際の熱流動予測を行うため、熱流体シミュレーションを行った。