[P] P79~P91

2:00 PM - 3:30 PM JST(5:00 AM - 6:30 AM UTC)

[P81] Relationship between surface structure morphology and irradiation area induced by ion irradiation

*Kenichiro Yoshiura¹, Oishi Naoto¹, Nitta Noriko² (1. Kochi University of Technology(M), 2. Kochi University of Technology)

Keywords:

イオン照射,SiC,リップル構造,微小領域,照射領域

本研究ではイオン照射によってSiC表面に形成するリップル構造と照射面積との関係性を調べている。照射領域は、縦横44.2 nm–10 μmで変化させた場合のリップル構造の形態や波長に関しての議論を行った。