[P] P79~P91

14:00 〜 15:30

[P81] イオン照射におけるSiC表面構造形態と照射領域の関係性

*芦浦 憲一郎¹、大石 脩人¹、新田 紀子² (1. 高知工大理工 (院)、2. 高知工大)

キーワード：

イオン照射、SiC、リップル構造、微小領域、照射領域

本研究ではイオン照射によってSiC表面に形成するリップル構造と照射面積との関係性を調べている。照射領域は、縦横44.2 nm–10 μmで変化させた場合のリップル構造の形態や波長に関しての議論を行った。