[S4] S4.New Materials Science on Nanoscale Structures and Functions at Crystal Interface(1)

1:55 PM - 2:10 PM JST(4:55 AM - 5:10 AM UTC)

[S4.3] Characterization of the atomic/electronic structures of {1-102} stacking fault in 4H-SiC

*TOCHIGI Eita¹, MATSUHATS Hirofumi², IKUHARA Yuichi^3,4,5 (1. Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 2. ISEES-llp, 3. Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, 4. AIMR, Tohoku University, 5. JFCC)

Keywords:

４H-SiC,積層欠陥,原子／電子構造,TEM/STEM,第一原理計算

4H-SiC中に形成される{1-102}積層欠陥の原子構造を走査透過型電子顕微鏡にて解析した。実験像に基づいて構造モデルを構築し第一原理計算により理論構造を得た。講演では積層欠陥の原子／電子構造を議論する。