[S4] S4.界面ナノ構造と機能の材料科学(1)

13:55 〜 14:10

[S4.3] 4H-SiCにおける{1-102}積層欠陥の原子・電子構造解析

*栃木 栄太¹、松畑 洋文²、幾原 雄一^3,4,5 (1. 東大生研、2. アイシーソルーションズ、3. 東大総合、4. 東北大AIMR、5. ファインセラミックスセンター)

キーワード：

４H-SiC、積層欠陥、原子／電子構造、TEM/STEM、第一原理計算

4H-SiC中に形成される{1-102}積層欠陥の原子構造を走査透過型電子顕微鏡にて解析した。実験像に基づいて構造モデルを構築し第一原理計算により理論構造を得た。講演では積層欠陥の原子／電子構造を議論する。