[P] P10~P26

[P24] Creation of Ti-Te compounds and Investigation of its phase-change behaviors

*Takuto TEZUKA¹, Yi Shuang^1,2, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1. Tohoku Univ. (Eng), 2. Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

相変化メモリ,相変化材料,薄膜,Ti-Te

相変化メモリおいて、Te rich 組成材料は低融点により省動作エネルギーかつ高速が可能である。本研究では、Te rich組成のTi-Te二元系の結晶構造とメモリデバイスの解析及び評価を行った。