[P] P10~P26

[P24] Ti-Te化合物の創成とその相変化挙動

*手塚 琢登¹、双 逸^1,2、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,2 (1. 東北大工、2. 東北大(AIMR))

キーワード：

相変化メモリ、相変化材料、薄膜、Ti-Te

相変化メモリおいて、Te rich 組成材料は低融点により省動作エネルギーかつ高速が可能である。本研究では、Te rich組成のTi-Te二元系の結晶構造とメモリデバイスの解析及び評価を行った。