[P] P185~P191

[P191] Crystallization of Ge thin films by MIC method and its dependence on Ge film thickness

*Hiroto Kawakami¹, Kentaro Kyuno¹ (1. Shibaura Inst. of Technol)

Keywords:

半導体デバイス,薄膜,MIC法

本研究では, Agを触媒とした金属誘起結晶化法 (MIC法) により, Ge薄膜を低温で結晶化させ, Ge膜厚が結晶化温度や電気特性に及ぼす影響を評価した.