[P] P185~P191

[P191] MIC法によるGe薄膜の結晶化およびGe膜厚依存性

*川上 寛人¹、弓野 健太郎¹ (1. 芝浦工大)

キーワード：

半導体デバイス、薄膜、MIC法

本研究では, Agを触媒とした金属誘起結晶化法 (MIC法) により, Ge薄膜を低温で結晶化させ, Ge膜厚が結晶化温度や電気特性に及ぼす影響を評価した.