[P] P192~P211

[P206] Localization of d-electrons by substitutional solid solution of MnN in CrN

*Hiroaki KATO¹, Tsuneo SUZUKI¹ (1. Nagaoka Univ. of Technol.)

Keywords:

薄膜,PLD,遷移金属窒化物

我々は、新奇物性の発現が期待される新物質（Cr, Mn）N薄膜の合成を、パルスレーザー堆積法により目指す。作製された単結晶薄膜の電気抵抗率から、Mn置換によってMott-Hubbardが形成されている可能性が示唆された。