[P] P192~P211

[P206] CrNへのMnN置換固溶によるd電子の局在化

*加藤 広晃¹、鈴木 常生¹ (1. 長岡技科大)

キーワード：

薄膜、PLD、遷移金属窒化物

我々は、新奇物性の発現が期待される新物質（Cr, Mn）N薄膜の合成を、パルスレーザー堆積法により目指す。作製された単結晶薄膜の電気抵抗率から、Mn置換によってMott-Hubbardが形成されている可能性が示唆された。