[P] P212~P240

[P231] Molecular dynamics study of void formation process in Si during stealth dicing

*Hiroki OKUZONO¹, Manabu ISHIMARU² (1. Kyutech, 2. Kyutech)

Keywords:

分子動力学法,ボイド,Si,シリコンウエハ,ステルスダイシング

ステルスダイシングによってシリコンウエハを切断する際、改質層中にボイドが形成するが、その発生要因は未だ明らかではない。分子動力学法により改質層におけるボイド形成過程の調査を行う。