[P] P212~P240

[P231] ステルスダイシングにおけるSi内ボイド形成過程の分子動力学解析

*奥園 洸樹¹、石丸 学² (1. 九工大(院生)、2. 九工大)

キーワード：

分子動力学法、ボイド、Si、シリコンウエハ、ステルスダイシング

ステルスダイシングによってシリコンウエハを切断する際、改質層中にボイドが形成するが、その発生要因は未だ明らかではない。分子動力学法により改質層におけるボイド形成過程の調査を行う。