[P] P212~P240

[P233] Solid-state reaction at the Cr/amorphous SiO_x thin film interface induced by electron irradiation and structural characterization by TEM

*Kazuki TAKAHASHI¹, Kazuhisa SATO² (1. Graduate School of Eng., The Univ. of Osaka, 2. UHVEM, The Univ. of Osaka)

Keywords:

電子照射,Crシリサイド,電子励起効果,透過電子顕微鏡,界面固相反応

RF マグネトロンスパッタ法を用いてCr/アモルファスSiO_x薄膜を作製した。作製した試料薄膜に対して、透過電子顕微鏡を用いてエネルギー75keVにて電子照射を行ったところ、試料薄膜中にCr₃Siが一部生成した。