[P] P251~P268

[P258] Electronic and Atomic Structures and Glide Mobility of Partial Dislocations in GaP

*Shuji OI¹, Takumi SATO¹, Yu OGURA¹, Tatsuya YOKOI¹, Katsuyuki MATSUNAGA^1,2 (1. Nagoya University, 2. Japan Fine Ceramics Center)

Keywords:

転位,化合物半導体,光塑性効果

光励起キャリアがGaP中の転位構造と転位移動度に与える影響をDFT計算によって解析した．その結果，キャリア捕獲によりパイエルス障壁が低下し，転位移動が促進されることが明らかとなった．