[P] P251~P268

[P258] GaPにおける部分転位の電子・原子構造とすべり移動度の解明

*大井 脩司¹、佐藤 琢巳¹、小椋 優¹、横井 達矢¹、松永 克志^1,2 (1. 名古屋大学、2. JFCC)

キーワード：

転位、化合物半導体、光塑性効果

光励起キャリアがGaP中の転位構造と転位移動度に与える影響をDFT計算によって解析した．その結果，キャリア捕獲によりパイエルス障壁が低下し，転位移動が促進されることが明らかとなった．