[G] Electric/Electronic/Optical Materials

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[83] Investigation of the formation conditions of GeTe₂ as a metastable layered semiconductor material

*Yu Kato¹, Shogo Hatayama², Mihyeon Kim¹, Yuta Saito^1,2,3 (1. Tohoku Univ., 2. SFRC, AIST, 3. GXT, Tohoku Univ.)

Keywords:

準安定層状材料,ダイカルコゲナイド,半導体,結晶化

アモルファス薄膜を熱処理することで結晶化する準安定材料のGeTe₂は層状構造およびp型半導体特性を有する。本研究では組成，膜厚，熱処理温度の影響を調査し、GeTe₂の形成や分解に及ぼす因子の解明を行なった。