講演情報
[83]準安定層状半導体材料GeTe2の作製条件の検討
*加藤 侑1、畑山 祥吾2、金 美賢1、齊藤 雄太1,2,3 (1. 東北大工、2. 産総研SFRC、3. 東北大GXT)
キーワード:
準安定層状材料、ダイカルコゲナイド、半導体、結晶化
アモルファス薄膜を熱処理することで結晶化する準安定材料のGeTe2は層状構造およびp型半導体特性を有する。本研究では組成,膜厚,熱処理温度の影響を調査し、GeTe2の形成や分解に及ぼす因子の解明を行なった。
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