[G] 電気・電子・光関連材料

16:45 〜 17:00

[83] 準安定層状半導体材料GeTe₂の作製条件の検討

*加藤 侑¹、畑山 祥吾²、金 美賢¹、齊藤 雄太^1,2,3 (1. 東北大工、2. 産総研SFRC、3. 東北大GXT)

キーワード：

準安定層状材料、ダイカルコゲナイド、半導体、結晶化

アモルファス薄膜を熱処理することで結晶化する準安定材料のGeTe₂は層状構造およびp型半導体特性を有する。本研究では組成，膜厚，熱処理温度の影響を調査し、GeTe₂の形成や分解に及ぼす因子の解明を行なった。