[S7] S7 Future of Widegap Crystals Opened by High-Temperature Processing I

1:00 PM - 1:40 PM JST(4:00 AM - 4:40 AM UTC)Keynote Lecture

[S7.1] [Keynote Lecture] Comparison of single crystal growth of Si, SiC and β-Ga₂O₃ for power devices

*Taishi Toshinori¹ (1. Shinshu Univ.)

Keywords:

パワー半導体,Si,SiC,β-Ga2O3,単結晶育成

主に液相からのSi、SiC、β-Ga₂O₃単結晶育成の現状について触れ、結晶の長尺化の観点で今後のバルク単結晶育成の可能性について述べる。