[S7] S7 高温プロセッシングが拓くワイドギャップ結晶の未来I

13:00 〜 13:40基調講演

[S7.1] [基調講演] パワーデバイス用材料Si,SiC,β-Ga₂O₃単結晶育成の比較

*太子 敏則¹ (1. 信州大工)

キーワード：

パワー半導体、Si、SiC、β-Ga2O3、単結晶育成

主に液相からのSi、SiC、β-Ga₂O₃単結晶育成の現状について触れ、結晶の長尺化の観点で今後のバルク単結晶育成の可能性について述べる。