[S7] S7 Future of Widegap Crystals Opened by High-Temperature Processing I

1:40 PM - 2:00 PM JST(4:40 AM - 5:00 AM UTC)

[S7.2] Investigation on the effect of factors affecting the growth rate and the step structures in the solution growth of 2 inches 4H-SiC Single Crystals

*SAKATA Yusaku¹, ENAMI Shuta¹, NAKAMOTO Masashi¹, SUZUKI Masanori¹, KAMEI Kazuhito¹, YOSHIKAWA Takeshi¹, CHAUSSENDE Didier² (1. Graduate School of Engineering, The University of Osaka, 2. CNRS-SIMaP)

Keywords:

4H-SiC,溶液成長法,TSSG法,界面過飽和度,熱流体シミュレーション

本研究では、4H-SiCについて、界面過飽和度の結晶成長速度や表面ステップ構造への影響を明らかにすることを目指し、溶媒内の温度・流速分布の熱流体シミュレーション支援のもと2インチ単結晶成長実験を行った。