[S7] S7 高温プロセッシングが拓くワイドギャップ結晶の未来I

13:40 〜 14:00

[S7.2] 4H-SiCの2インチ結晶の溶液成長における成長速度とステップ構造への諸因子の影響の調査

*坂田 雄咲¹、江波 秀太¹、中本 将嗣¹、鈴木 賢紀¹、亀井 一人¹、吉川 健¹、Chaussende Didier² (1. 大阪大工、2. CNRS-SIMaP)

キーワード：

4H-SiC、溶液成長法、TSSG法、界面過飽和度、熱流体シミュレーション

本研究では、4H-SiCについて、界面過飽和度の結晶成長速度や表面ステップ構造への影響を明らかにすることを目指し、溶媒内の温度・流速分布の熱流体シミュレーション支援のもと2インチ単結晶成長実験を行った。