[S7] S7 Future of Widegap Crystals Opened by High-Temperature Processing I

2:00 PM - 2:20 PM JST(5:00 AM - 5:20 AM UTC)

[S7.3] Analysis of transport phenomena in Si-Cr-C solution for SiC solution growth

*Wei-Ting Chen¹, Masakatsu Hasegawa², Sakiko Kawanishi² (1. Kyoto Univ.(M), 2. Kyoto Univ.)

Keywords:

SiC,拡散,溶媒移動法

SiC結晶成長界面の安定化に密接に関わる溶液中での拡散支配下における移動現象を明らかにすることを目的とし、Si–40mol% Cr溶媒を用いたSiC基板間でのSi–Cr–C溶液の移動現象を溶媒移動法により調査した。