[S7] S7 高温プロセッシングが拓くワイドギャップ結晶の未来I

14:00 〜 14:20

[S7.3] SiC溶液成長の最適化に向けたSi-Cr-C溶液の移動現象の評価

*陳 威廷¹、長谷川 将克²、川西 咲子² (1. 京大（院生）、2. 京大)

キーワード：

SiC、拡散、溶媒移動法

SiC結晶成長界面の安定化に密接に関わる溶液中での拡散支配下における移動現象を明らかにすることを目的とし、Si–40mol% Cr溶媒を用いたSiC基板間でのSi–Cr–C溶液の移動現象を溶媒移動法により調査した。