Presentation Information
[S7.5][Keynote Lecture] Effect of GaN Crystal Growth via the Na-Flux Method on the Electrical Resistance of Ga-Na Melt
*Imanishi Masayuki1, Murakami Kosuke1, Usami Shigeyoshi1, Mori Yusuke1 (1. Graduate School of Engineering, The University of Osaka)
Keywords:
GaN,Naフラックス法,Ga-Na融液,電気抵抗
本講演では，Naフラックス法によるGaN結晶成長をベースとしたGaN基板開発の状況に加え， Ga-Na融液中の窒素濃度や結晶成長速度のモニタリングのために，近年取り組んでいる電気抵抗測定について紹介する．
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