[S7] S7 Future of Widegap Crystals Opened by High-Temperature Processing I

4:10 PM - 4:30 PM JST(7:10 AM - 7:30 AM UTC)

[S7.8] Solution Growth of AlN using Cr-Ni solvent under enhanced electromagnetic stirring

*Yamamoto Hiroki¹, Nakamoto Masataka¹, Suzuki Masanori¹, Yoshikawa Takashi¹, Kamei Kazuto¹ (1. The University of Osaka)

Keywords:

結晶成長,結晶構造,熱力学,状態図

AlN結晶は6.1eVと大きいバンドギャップを有することから、深紫外光素子やパワーデバイスの基板材料としての開発が進んでいる。Cr-Ni系溶媒を用いたAlN単結晶の溶液成長により最大500 µm/hでの成長が確認された。