[G] Fundamentals of Mechanical Properties(2)

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[298] Temperature Dependence of Critical Resolved Shear Stress and Dislocation Motion in Impurity Doped Si Single Crystals

*Toma Sugizono¹, Masaki Tanaka², Shigeto Yamasaki², Tatsuya Morikawa², Jun Fujise³, Toshiaki Ono³ (1. Kyushu Univercity　（M2）, 2. Kyushu Univercity, 3. SUMCO Corporation)

Keywords:

Si単結晶,臨界分解剪断応力,転位運動,高温変形

本研究では、不純物としてB及びPをドープしたSiの単結晶に対して、900～1100℃の高温域で引張試験を行い、降伏応力の温度依存性を測定した。またその時の活性化エネルギーを測定することで転位運動を明らかにした。