[G] 力学特性の基礎(2)

15:15 〜 15:30

[298] 不純物ドープSi単結晶における臨界分解剪断応力の温度依存性と転位運動

*杉薗 統眞¹、田中 將己²、山﨑 重人²、森川 龍哉²、藤瀬 淳³、小野 敏昭³ (1. 九州大（院生）、2. 九州大工、3. (株)SUMCO)

キーワード：

Si単結晶、臨界分解剪断応力、転位運動、高温変形

本研究では、不純物としてB及びPをドープしたSiの単結晶に対して、900～1100℃の高温域で引張試験を行い、降伏応力の温度依存性を測定した。またその時の活性化エネルギーを測定することで転位運動を明らかにした。