[P] P105~P109

[P106] Morphology of InN thin films synthesized by glancing-angle reactive evaporation

*Watanabe Masaki¹, Inoue Yasushi¹, Takai Osamu² (1. Chiba Inst. Technol., 2. Kanto Gakuin Univ)

Keywords:

蒸着法,InN,EC特性,斜入射堆積,薄膜

InNはEC材料であり色変化の速度が速い．先行研究で、柱状晶間の空隙がEC特性に影響を及ぼすと示唆された．本研究では，InN薄膜のモルフォロジーおよび柱状晶間の空隙に対して,成膜温度が及ぼす影響を調査した．