[P] P105~P109

[P106] 斜入射反応性蒸着法により作製したInN薄膜のモルフォロジー

*渡邉 将騎¹、井上 泰志¹、高井 治² (1. 千葉工業大学、2. 関東学院大材料表面研)

キーワード：

蒸着法、InN、EC特性、斜入射堆積、薄膜

InNはEC材料であり色変化の速度が速い．先行研究で、柱状晶間の空隙がEC特性に影響を及ぼすと示唆された．本研究では，InN薄膜のモルフォロジーおよび柱状晶間の空隙に対して,成膜温度が及ぼす影響を調査した．