[P] P24~P27

[P26] First-Principles Study of Carrier Generation and Compensation Mechanism in Wide-Gap Oxide Semiconductors

*Hiroki ISHII¹, Teruya NAGAFUJI¹, Akira TAKAHASHI², Fumiyasu OBA² (1. Materials and Structures Laboratory, Institute of Integrated Research, Institute of Science Tokyo (M), 2. Materials and Structures Laboratory, Institute of Integrated Research, Institute of Science Tokyo)

Keywords:

透明導電体,第一原理計算,ドーピング,点欠陥

In₂O₃:Snをはじめとする透明導電性を示す5つの系について，ドーパントおよび固有点欠陥によるキャリア生成・補償と平衡状態におけるフェルミ準位およびキャリア電子密度を第一原理計算により調査した．