講演情報
[P26]ワイドギャップ酸化物半導体におけるキャリア生成・補償機構の第一原理計算による検討
*石井 裕貴1、長藤 瑛哉1、高橋 亮2、大場 史康2 (1. 東京科学大学総合研究院フロンティア材料研究所 (院生)、2. 東京科学大学総合研究院フロンティア材料研究所)
キーワード：
透明導電体、第一原理計算、ドーピング、点欠陥
In2O3:Snをはじめとする透明導電性を示す5つの系について，ドーパントおよび固有点欠陥によるキャリア生成・補償と平衡状態におけるフェルミ準位およびキャリア電子密度を第一原理計算により調査した．