[P] P80~P84

[P84] The crystallization of Ge thin films using the MIC method with Au as a catalyst

*Masanobu Hamaguchi¹, Kyuno Kentarou^2,3 (1. SIT(graduate student), 2. SIT, 3. Center for Semiconductor Human Resource Development, SIT)

Keywords:

半導体,ゲルマニウム,MIC法,XRD,フレキシブルデバイス

本研究では、金属誘起結晶化法を用いて金属触媒としてAuを使用し、Geの低温結晶化を行った。実験では、熱処理の温度条件に伴う電気特性や結晶性の評価を行った。