[P] P80~P84

[P84] Au触媒を用いたMIC法によるGe薄膜の結晶化

*濱口 勝信¹、弓野 健太郎^2,3 (1. 芝浦工大(院生)、2. 芝浦工大、3. 芝浦工大半導体人材育成センター)

キーワード：

半導体、ゲルマニウム、MIC法、XRD、フレキシブルデバイス

本研究では、金属誘起結晶化法を用いて金属触媒としてAuを使用し、Geの低温結晶化を行った。実験では、熱処理の温度条件に伴う電気特性や結晶性の評価を行った。