[S4] Tailoring of novel-structured materials using spatio-temporal responses under exotic reaction fields VII

2:45 PM - 3:10 PM JST(5:45 AM - 6:10 AM UTC)

[S4.14] Suppression of Forward Degradation in SiC Power Semiconductors by High-Energy Ion Implantation

*Shunta HARADA¹, Hitoshi Sakane², Masashi Kato³ (1. Nagoya Univ., 2. SHI-ATEX, 3. Nagoya Institute of Tech.)

Keywords:

SiC,パワー半導体,転位,イオン注入

高エネルギーイオン注入により、SiCバイポーラデバイスの順方向通電劣化を抑制し、積層欠陥の拡張を防ぎ、信頼性を向上させる手法を紹介する。