[S4] S4 特異反応場における時間/空間応答を利用した新奇材料構造創成VII

14:45 〜 15:10

[S4.14] 高エネルギーイオン注入によるSiCパワー半導体の順方向通電劣化抑制

*原田 俊太¹、坂根 仁²、加藤 正史³ (1. 名古屋大、2. 住重ATEX、3. 名古屋工業大)

キーワード：

SiC、パワー半導体、転位、イオン注入

高エネルギーイオン注入により、SiCバイポーラデバイスの順方向通電劣化を抑制し、積層欠陥の拡張を防ぎ、信頼性を向上させる手法を紹介する。