[G] Nuclear Materials

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[68] Morphological Analysis of Ion Beam-induced SiC Ripple Structures using Machine Learning

Kaito YOHSITAKE¹, Kenichiro YOSHIURA², Naoto Oishi^3,5, *Noriko NITTA⁴, Ippei OHBAYASHI⁶ (1. Kochi University of Technology, 2. Kochi University of Technology, 3. Kochi University of Technology, 4. Kochi University of Technology, 5. National Institute of Technology, Kochi College, 6. Okayama University)

Keywords:

イオンビーム照射,SiC,リップル構造,機械学習,パーシステントホモロジー,Growing Neural Gas

SiCにイオンビームを照射するとスパッタリングによってリップル構造が形成される。このリップル構造の形態解析をPersistent HomologyとGrowing Neural Gasにより行った。