[G] Electronic Materials/Terahertz Light

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)

[239] Changes in Physical Properties during Crystallization of Sputtered VTe₂ Thin Films

*Shuhei Orihara¹, Shuang Yi^1,2, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1. Tohoku Univ. (Eng), 2. Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

薄膜,VTe₂,遷移金属ダイカルコゲナイド,スパッタリング

本研究では、二次元材料の遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであるVTe₂薄膜をRFマグネトロンスパッタリングによって成膜し、相変化にともなう物性変化を調査した。