[P] 第5分野　材料化学　P94～P101

[P57] Influences of Oxygen Content in Precursor Molecules on the Properties of SiO:CH Films Deposited by PECVD

○Seiya Ishikawa¹、Yasushi Inoue¹、 Osamu Takai² (1. Chiba Institute of Technology　2.SSAME)

Keywords:

SiO:CH Thin Films,Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,thin film surface properties

有機シラン系原料を用いたPECVD法によりSiO:CH薄膜を成膜し，原料分子中の酸素数が膜質に及ぼす影響を検討した。OESおよびFT-IR解析から，酸素数の多い原料ではSi-O-CH3終端や-OH基の残存が顕著であり，電極条件により有機基の残存形態が大きく変化することを明らかにした。