[P] 第5分野　材料化学　P94～P101

[P57] SiO:CH膜のPECVD堆積における原料分子中の酸素数が膜質に与える影響

○石川 聖也¹、井上 泰志¹、高井 治² (1. 千葉工業大学　2.表面・超原子研)

キーワード：

SiO:CH薄膜、プラズマ化学気相成長法、薄膜表面特性

有機シラン系原料を用いたPECVD法によりSiO:CH薄膜を成膜し，原料分子中の酸素数が膜質に及ぼす影響を検討した。OESおよびFT-IR解析から，酸素数の多い原料ではSi-O-CH3終端や-OH基の残存が顕著であり，電極条件により有機基の残存形態が大きく変化することを明らかにした。