[19a-A307-1~10] 2.1 Detection Devices

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[19a-A307-9] Characterization of TlBr crystals grown under Br₂ atmosphere

〇(M2)Riku Horasawa¹, Rikuya Morita¹, Motoki Inoue¹, Kenji Shimazoe², Shiro Sakuragi³, Kazuyasu Tokiwa¹ (1.Tokyo Univ. Sci, 2.Univ. of Tokyo, 3.Union Materials Inc.)

Keywords:

Thallium bromide,Semiconductor detector

放射線特性を示すTlBr単結晶を育成するため，今回我々は臭素雰囲気下での結晶成長を試みた。結晶成長は，帯精製していないTlBr原料粉末を臭素とアルゴンとともに石英るつぼの中に封入し，垂直ブリッジマン法を用いて行った。得られた試料の抵抗率は，１×10¹¹Ω-cm程度の高い値を示した。講演では、これらの試料のX線回折や放射線特性の結果を報告する。