Presentation Information
[20p-A304-4]Rashba effect manipulation of SrNbO3/KTaO3 interface by ion gating
〇Hikaru Okuma1, Yumiko Katayama1, Kazunori Ueno1 (1.Univ. Tokyo)
Keywords:
ion gating,oxide heterointerface,Rashba effect
強いラシュバ効果を示す酸化物界面は、界面超伝導、トポロジカル物性、高効率なスピン流電流変換等、基礎物理と応用の両面から面白い現象が多数見つかる舞台である。また、新物質や新奇な界面合成により、新しい強いラシュバ界面の発見も期待される。我々は、これまで伝導性酸化物SrNbO3(SNO)を極薄膜化することで強いラシュバ効果を示すことを報告してきた。さらに、SNOの極薄膜を酸化物半導体基板KTaO3(KTO)の上に積んだSNO/KTOでは、SNOのみの特性からでは説明できないKTO基板由来の高移動度な伝導層が生じることを初めて発見してきた。今回はこのSNO/KTO界面の伝導層が、強いラシュバ効果を有し、イオン液体ゲーティングにより、その大きさを変調可能であることを見出したので、これを報告する。