Presentation Information
[20p-P01-5]Study of carrier transport characteristics and deep levels
in CdTe semiconductor radiation detectors using laser pulses
〇Kensuke Nishii1, Tomohide Shoji1, Toru Aoki1,2, Tetsu Ito1,2 (1.Shizuoka Univ., 2.RIE, Shizuoka Univ.)
Keywords:
semiconductor,radiation
CdTe放射線検出器では長時間の連続利用で性能が劣化する現象「ポラリゼーション」が確認されており, その原因となる深い準位のエネルギーレベルを把握することが重要と考えられている. 本研究では, 深い準位への電荷トラップの熱的な影響を考え, キャリア輸送特性の温度依存性を評価した.この測定から, 深い準位のエネルギーレベルを求めることに成功した。