[20p-P04-1~3] 9.3 Nanoelectronics

[20p-P04-1] Operating characteristics of single electron NAND circuit without side gate

〇Ryota Haraguch¹, Shigeru Imai¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

single electron transistor

今日、SETによる、CMOS回路と類似した構成の論理回路についての研究が報告されている。多くの研究では、サイドゲートによってSETの動作範囲を制御することで論理回路としての特性を得ているが、サイドゲートがなくとも論理回路として動作し得る。そこで、本研究ではサイドゲートのない単電子NAND回路の解析を行い、階段的な入出力特性を得られる条件を明らかにする。