[21p-A307-1~23] 6.3 Oxide electronics

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21p-A307-2] Topological Hall effect at the hetero interface of DyFeO₃/CaRuO₃

〇(M2)Koki Omura¹, Takahiro Fujita¹, Masashi Kawasaki^1,2 (1.The Univ. of Tokyo, 2.RIKEN CEMS)

Keywords:

semiconductor,oxide,heterostructure

非共面的な磁性金属において伝導電子が創発磁場を感じて曲がる効果をトポロジカルホール効果と呼ぶ。しかし、この磁性と金属性をヘテロ接合の各層に分離した際に、界面においてトポロジカルホール効果が生じるかは自明なことではない。本研究では非共面的な磁気構造を持つDyFeO₃と常磁性金属であるCaRuO₃のヘテロ接合試料を作製して磁気輸送測定を行った。本講演では試料作製と特異的な磁気輸送特性について報告する。